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ZEISS GeminiSEM 450場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡

價(jià)  格:詢價(jià)

產(chǎn)  地:更新時(shí)間:2021-01-18 15:03

品  牌:型  號(hào):GeminiSEM 450

狀  態(tài):正常點(diǎn)擊量:1778

400-006-7520
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上海非利加實(shí)業(yè)有限公司

聯(lián) 系 人: 上海非利加實(shí)業(yè)有限公司

電   話: 400-006-7520

傳   真: 400-006-7520

配送方式: 上海自提或三方快遞

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GeminiSEM 系列產(chǎn)品

高對(duì)比度、低電壓成像的場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡


為對(duì)任意樣品進(jìn)行高水準(zhǔn)的成像和分析而生

蔡司GeminiSEM 系列產(chǎn)品具有出色的探測(cè)效率,能夠輕松地實(shí)現(xiàn)亞納米分辨成像。無論是在高真空還是在可變壓力模式下,更高的表面細(xì)節(jié)信息靈敏度讓您在對(duì)任意樣品進(jìn)行成像和分析時(shí)都具備更佳的靈活性,為您在材料科學(xué)研究、生命科學(xué)研究、工業(yè)實(shí)驗(yàn)室或是顯微成像平臺(tái)中獲取各種類型樣品在微觀世界中清晰、真實(shí)的圖像,提供靈活、可靠的場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡技術(shù)和方案。


GeminiSEM 450 具有出色的易用性設(shè)計(jì)、更快的響應(yīng)和更高的表面靈敏度,使其能快速、靈活、可靠地對(duì)樣品進(jìn)行表面成像和分析,充當(dāng)您的得力助手



更高的速度與靈敏度,更好的成像和分析

GeminiSEM 450更快的響應(yīng)和更高的表面靈敏度使其能快速、靈活、可靠地對(duì)樣品進(jìn)行表面成像和分析,簡(jiǎn)便、快速地進(jìn)行EDS能譜和EBSD等分析,同時(shí)保持出色的空間分辨率,充當(dāng)您的得力助手。

  • 在EDS能譜和EBSD分析模式下仍保持高分辨率的成像,在低電壓條件下工作時(shí)更為優(yōu)異;

  • 可快速地對(duì)樣品進(jìn)行大范圍及高質(zhì)量成像;

  • 經(jīng)優(yōu)化的電子光學(xué)鏡筒,減少了工作過程中進(jìn)行重新校準(zhǔn)的復(fù)雜流程,節(jié)省成像時(shí)間,提高工作效率;

  • 無論是不導(dǎo)電樣品、磁性樣品或是其他類型的樣品,無論是高真空或是可變壓力模式,均可實(shí)現(xiàn)快速和高質(zhì)量的成像和分析.


洞察產(chǎn)品背后的科技

Gemini電子光學(xué)系統(tǒng)

Gemini 2類型鏡筒-出色的綜合性能,為您所欲為

  • 要實(shí)現(xiàn)對(duì)任意樣品都能進(jìn)行高質(zhì)量的測(cè)試和表征,掃描電子顯微鏡必須在成像和分析方面都具備優(yōu)異的性能,同時(shí)能給用戶簡(jiǎn)單易用的操作體驗(yàn)。如今,Gemini 2鏡筒可滿足您在這些方面的各種需求:

    • GeminiSEM 450 配置雙聚光鏡的Gemini 2類型電子光學(xué)鏡筒;

    • 在確保獲得出色的小電子束斑的同時(shí),束流連續(xù)可調(diào);

    • 可在低束流的高分辨率成像與高束流的分析模式之間進(jìn)行無縫切換;

    • 調(diào)整工作參數(shù)后無需對(duì)電子束進(jìn)行重新校準(zhǔn),為您節(jié)約時(shí)間,提高儀器效率;

    • 操作靈活易用,高電子束能量密度下的高分辨率成像,低束流分析,高束流分析等各類不同的工作模式,***切由您而定;

    • 物鏡無漏磁設(shè)計(jì),在大視野范圍成像和EBSD分析中不會(huì)引起畸變,確保獲得樣品高質(zhì)量的圖像;

    • 出色、穩(wěn)定的電子光學(xué)鏡筒,對(duì)各種類型的樣品都能簡(jiǎn)單快速的進(jìn)行高分辨率成像,即使在使用中樣品需要傾斜,甚至是對(duì)磁性樣品進(jìn)行成像;

    • P搭載局部電荷中和器或NanoVP可變壓力模式,有效地消除樣品的表面荷電,讓您在出色參數(shù)下對(duì)樣品進(jìn)行成像和分析.



技術(shù)參數(shù):

基本規(guī)格蔡司 GeminiSEM 450

熱場(chǎng)發(fā)射電子槍,穩(wěn)定性優(yōu)于0.2 %/h
加速電壓
0.02 - 30 kV
探針電流
3 pA - 40 nA
(100 nA或300 nA配置可選)
存儲(chǔ)分辨率
達(dá)32k × 24k 像素
放大倍率
12 C 2,000,000
標(biāo)配探測(cè)器
鏡筒內(nèi)Inlens二次電子探測(cè)器
樣品室內(nèi)的Everhart Thornley二次電子探測(cè)器

可選配的

項(xiàng)目





NanoVP可變壓力模式
高效VPSE探測(cè)器(包含在NanoVP可變壓力選件中)

局部電荷中和器

鏡筒內(nèi)能量選擇背散射探測(cè)器

環(huán)形STEM探測(cè)器(aSTEM 4)

角度選擇背散射探測(cè)器


EDS能譜儀

EBSD探測(cè)器(背散射電子衍射)


可訂制特殊功能樣品臺(tái)
環(huán)形背散射電子探測(cè)器
陰極射線熒光探測(cè)器



產(chǎn)品參數(shù)


產(chǎn)品介紹



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