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真空設(shè)備定制：

脈沖激光沉積系統(tǒng)定制、磁控濺射系統(tǒng)定制、二次電子發(fā)射系數(shù)測(cè)試系統(tǒng)……

其他：

真空設(shè)備維護(hù)、真空設(shè)備升***改造、樣品臺(tái)改造、機(jī)械加工……

脈沖激光沉積設(shè)備（PLD）定制

我們經(jīng)過多年的技術(shù)積累，充分研究了***內(nèi)外PLD設(shè)備的優(yōu)缺點(diǎn)，開發(fā)出了性能優(yōu)異的PLD系統(tǒng)。

我們可以提供單腔室簡(jiǎn)易PLD系統(tǒng)和雙腔室復(fù)雜PLD系統(tǒng)。

圖1.單腔室簡(jiǎn)易型脈沖激光沉積系統(tǒng)(PLD)

圖2. 雙腔室脈沖激光沉積系統(tǒng)(PLD)

設(shè)計(jì)特點(diǎn)如下：

• 設(shè)計(jì)靈活新穎，可根據(jù)用戶需求定制系統(tǒng)；

• 自主設(shè)計(jì)的激光加熱系統(tǒng)，加熱溫度1400°C；

• 靶臺(tái)具有擺動(dòng)功能，可增加靶材利用率；

• 可配備高壓RHEED，用于監(jiān)測(cè)薄膜的生長(zhǎng)過程；

• 升***空間大，集成靈活度高，可加配離子源、濺射源等；

• 可與其他真空設(shè)備對(duì)接；

磁控濺射靶槍定制

1.規(guī)格參數(shù)

2.特點(diǎn)

• 可以集成到多種***產(chǎn)或進(jìn)口磁控濺射設(shè)備上，靶槍的真空內(nèi)長(zhǎng)度可以定制；

• 安裝法蘭上帶有獨(dú)立的濺射氣體接口；

• 采用獨(dú)特的氣體導(dǎo)流罩將濺射氣體引入到靶面，可以在靶材附近實(shí)現(xiàn)更高的氣壓，同時(shí)也能降低腔室的氣壓；

3.用途

• 高校科研院所磁控濺射薄膜材料的研究與制備；

• 本科生或研究生的儀器教學(xué)；

二次電子發(fā)射系數(shù)測(cè)試系統(tǒng)定制

二次電子發(fā)射系數(shù)測(cè)試設(shè)備（SEY）用于金屬或介質(zhì)材料二次電子發(fā)射系數(shù)的測(cè)試。由于涉及到微弱電信號(hào)的探測(cè)和捕捉，該設(shè)備結(jié)構(gòu)復(fù)雜，測(cè)試的靈敏度和重復(fù)性要求較高，目前***外只有少數(shù)幾***公司可以研制并生產(chǎn)。為打破壟斷，北京匯德信科技有限公司研制開發(fā)了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，專用于導(dǎo)體和介質(zhì)材料二次電子發(fā)射系數(shù)分析測(cè)試的整套解決方案。

LEO 二次電子發(fā)射系數(shù)測(cè)試系統(tǒng)(SEY)

設(shè)計(jì)特點(diǎn)如下：

• 柵網(wǎng)的透過率大于80%，收集效率高；

• 采用三層?xùn)啪W(wǎng)及半球型收集器，可測(cè)試材料的二次電子發(fā)射系數(shù)及二次電子能譜；

• ***次電子槍的能量范圍從50 eV到5 KeV，并可擴(kuò)展到更高能量；

• 具備脈沖信號(hào)測(cè)量功能，可測(cè)試介質(zhì)材料的二次電子系數(shù)；

• 樣品臺(tái)可傾斜，可測(cè)試不同入射角度下的二次電子系數(shù)；