透射電鏡(TEM)用氮化硅薄膜窗口
產(chǎn)品概述:
與X射線用氮化硅窗口類似,透射電鏡(TEM)用氮化硅薄膜窗口也采用低應(yīng)力氮化硅薄膜基底。但整體尺度更小,適合TEM裝樣的要求。窗口有單窗口和多窗口陣列等不同規(guī)格。同時(shí)RISUN也定制多孔氮化硅薄膜窗口。
RISUN透射電鏡(TEM)用氮化硅薄膜窗產(chǎn)品規(guī)格如下:
單窗口系列:
2窗口系列:3mm(窗口尺寸:100x1500微米,薄膜厚度:20nm、40nm)
9窗口系列:3mm(窗口尺寸:100x100微米,100x350 微米,薄膜厚度:20nm、40nm)
邊框厚度: 200μm、381μm。
Si3N4薄膜厚度: 9-15nm、50nm、100nm
本產(chǎn)品為***次性產(chǎn)品,RISUN不建議用戶重復(fù)使用;本產(chǎn)品不能進(jìn)行超聲清洗,適合化學(xué)清洗、輝光放電和等離子體清洗。
技術(shù)指標(biāo):
表面平整度:薄膜與其下的硅片同樣平整,RISUN提供的TEM用氮化硅薄膜窗口的表面粗糙度為:0.6-2nm,完全適用于TEM表征。
親水性:該窗格呈疏水性,如果樣品取自水懸浮液,懸浮微粒則不能均勻地分布在薄膜上。用等離子蝕刻機(jī)對(duì)薄膜進(jìn)行親水處理,可暫時(shí)獲得親水效果。雖然沒有對(duì)其使用壽命進(jìn)行過(guò)測(cè)試,但預(yù)期可以獲得與同樣處理的鍍碳TEM網(wǎng)格相當(dāng)?shù)膲勖?。我們可以生產(chǎn)此種蝕刻窗格,但無(wú)法保證其使用壽命。如果實(shí)驗(yàn)室有蝕刻工具也可對(duì)其進(jìn)行相應(yīng)的處理提高其親水性能。
溫度特性:RISUN提供的氮化硅薄膜窗口產(chǎn)品是耐高溫產(chǎn)品,能夠承受1000度高溫,非常適合在其表面利用CVD方法生長(zhǎng)各種納米材料。
化學(xué)特性:RISUN提供的氮化硅薄膜窗口是惰性襯底。
應(yīng)用簡(jiǎn)介和優(yōu)點(diǎn):
1、適合TEM、SEM、AFM、XPS、EDX等的對(duì)同***區(qū)域的交叉配對(duì)表征。
2、大窗口尺寸,適合TEM大角度轉(zhuǎn)動(dòng)觀察。
3、無(wú)碳、無(wú)雜質(zhì)的清潔TEM觀測(cè)平臺(tái)。
4、背景氮化硅無(wú)定形、無(wú)特征。
5、耐高溫、惰性襯底,適應(yīng)各種聚合物、納米材料、半導(dǎo)體材料、光學(xué)晶體材料和功能薄膜材料的制備環(huán)境,(薄膜直接沉積在窗口上)。
6、生物和濕細(xì)胞樣本的理想承載體。特別是在等離子體處理后,窗口具有很好的親水性。
7、耐高溫、惰性襯底,也可以用于化學(xué)反應(yīng)和退火效應(yīng)的原位表征。
8、適合做為膠體、氣凝膠、有機(jī)材料和納米顆粒等的表征實(shí)驗(yàn)承載體。