1771-P21771-P21771-P21771-P21771-P21771-P21771-P21771-P21771-P21771-P21771-P21771-P21771-P21771-P21771-P21771-P21771-P2vv傳統型
傳統計算機系統其內存控制器位于主板芯片組北橋芯片內部，CPU要與內存進行數據交換，需要經過“CPU－－北橋－－內存－－北橋－－CPU”5個步驟，在該模式下數據經由多***傳輸，數據延遲顯然比較大從而影響計算機系統整體性能；
整合型
集成內存控制器，就是在CPU的基板上內置***個內存控制器，先說說沒有內存控制器時系統是如何工作的。26個數據A~Z，要傳送到CPU，這時候CPU就向北橋發出指令（因為內存控制器是集成在北橋上，說所以要經過北橋），內存通過內存控制器接受到了指令，這個指令就是把內存上b單元的A~Z數據傳送到CPU，內存這個時候開始取數據，也就是平常所說的尋址。當內存找到了這個數據，而這26個數據每個數據為500MB，所有數據總和
就約為12GB，假設內存為雙通道R2 800，數據傳輸率就為800MHZ乘以128BIT除以8比特每字節=12GB每秒，通過分析，認為只需***秒就能傳送到CPU，此時的數據在***秒的時間內只傳送到了北橋，內存控制器在北橋，在北橋的數據如何傳送到CPU呢，這就要通過FSB前端總線了，假設FSB的頻率為800MHZ，那么數據傳輸率就為800MHZ乘以64BIT除以8比特每秒=6.4GB每秒，從北橋到CPU要2秒，所以數據傳送到CPU的總時間為3秒，接下來再來看看CPU集成內存控制器的時候系統是如何工作的；數據從內存傳輸到控制器后，同樣為1秒，所不同的是這個時候不用再通過慢吞吞的前端總線了，CPU直接從內存控制器讀取數據就行了，因為內存控制器在CPU的門口羅，打個比方，***件東西在你門口的時候，大***就可以直接拿了，就是這個原理，算了***下，集成內存控制器的CPU讀取12GB的數據是才用了1秒的時間，所以大大節省了運算時間，也充分發揮了CPU的性能。
*后總結***下：CPU沒有內存控制器時：數據以內存控制器－－-北橋－－－－CPU的方式傳輸有內存控制器時：數據以內存控制器－－－－－－CPU的方式傳輸，***步到位。[1]
2工作原理編輯
CPU內部整合內存控制器的優點，就是可以有效控制內存控制器工作在與CPU核心同樣的頻率上，而且由于內存與CPU之間的數據交換無需經過北橋，可以有效降低傳輸延遲。打個比方，這就如同將貨物倉庫直接搬到了加工車間旁邊，大大減少原材料和制成品在貨物倉庫與加工車間之間往返運輸所需要的時間，極大地提高了生產效率。這樣***來系統的整體性能也得到了提升。[2]
內存頻率
和CPU***樣，內存也有自己的工作頻率，頻率以MHz為單位內存主頻越高在***定程度上代表著內存所能達到的速度越快。內存主頻決定著該內存能在什么樣的頻率正常工作。*為主流的內存頻率為DDR2-800和DDR3-1333，作為DDR2的替代者，DDR3內存的頻率已經在向3000MHz進發。
內存容量
內存的容量不但是影響內存價格的因素，同時也是影響到整機系統性能的因素。過去Windows XP平臺，512M的內存還是主流，1GB已經是大容量；64位系統開始普及，Windows Vista、Windows 7越來越多人使用，沒有2GB左右的內存都不***定能保證操作的流暢度。單根內存的容量主要有1GB、2GB、4GB，已經達到單根8GB。
工作電壓
內存正常工作所需要的電壓值，不同類型的內存電壓也不同，但各自均有自己的規格，超出其規格，容易造成內存損壞。DDR2內存的工作電壓***般在1.8V左右，而DDR3內存則在1.6V左右。有的高頻內存需要工作在高于標準的電壓值下，具體到每種品牌、每種型號的內存，則要看廠***了。只要在允許的范圍內浮動，略微提高內存電壓，有利于內存超頻，但是同時發熱量大大增加，因此有損壞硬件的風險。
時序參數
tCL : CAS Latency Control（tCL）
***般我們在查閱內存的時序參數時，如“8-8-8-24”這***類的數字序列，上述數字序列分別對應的參數是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。這個個“8”就是第1個參數，即CL參數。
CAS Latency Control（也被描述為tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay），CAS latency是“內存讀寫操作前列地址控制器的潛伏時間”。CAS控制從接受***個指令到執行指令之間的時間。因為CAS主要控制十六進制的地址，或者說是內存矩陣中的列地址，所以它是*為重要的參數，在穩定的前提下應該盡可能設低。
內存是根據行和列尋址的，當請求觸發后，*初是tRAS（Activeto Precharge Delay），預充電后，內存才真正開始初始化RAS。***旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）開始進行需要數據的尋址。***先是行地址，然后初始化tRCD，周期結束，接著通過CAS訪問所需數據的精確十六進制地址。期間從CAS開始到CAS結束就是CAS延遲。所以CAS是找到數據的*后***個步驟，也是內存參數中*重要的。
這個參數控制內存接收到***條數據讀取指令后要等待多少個時鐘周期才實際執行該指令。同時該參數也決定了在***次內存突發傳送過程中完成部分傳送所需要的時鐘周期數。這個參數越小，則內存的速度越快。必須注意部分內存不能運行在較低的延遲，可能會丟失數據。而且提高延遲能使內存運行在更高的頻率，所以需要對內存超頻時，應該試著提高CAS延遲。
該參數對內存性能的影響，在保證系統穩定性的前提下，CAS值越低，則會導致更快的內存讀寫操作。
tRCD : RAS to CAS Delay
該值就是“8-8-8-24”內存時序參數中的第2個參數，即第2個“8”。RAS to CAS Delay（也被描述為：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD），表示"行尋址到列尋址延遲時間"，數值越小，性能越好。對內存進行讀、寫或刷新操作時，需要在這兩種脈沖信號之間插入延遲時鐘周期。在JEDEC規范中，它是排在第二的參數，降低此延時，可以提高系統性能。如果你的內存的超頻性能不佳，則可將此值設為內存的默認值或嘗試提高tRCD值。
tRP : Row Precharge Timing（tRP）
該值就是“8-8-8-24”內存時序參數中的第3個參數，即第3個“8”。Row Precharge Timing （也被描述為：tRP、RAS Precharge、Precharge to active），表示"內存行地址控制器預充電時間"，預充電參數越小則內存讀寫速度就越快。tRP用來設定在另***行能被激活之前，RAS需要的充電時間。
tRAS : Min RAS Active Timing
該值就是該值就是“8-8-8-24”內存時序參數中的*后***個參數，即“24”。Min RAS Active Time （也被描述為：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time），表示“內存行有效至預充電的*短周期”，調整這個參數需要結合具體情況而定，***般我們設在24~30之間。這個參數要根據實際情況而定，并不是說越大或越小就越好。
如果tRAS的周期太長，系統會因為無謂的等待而降低性能。降低tRAS周期，則會導致已被激活的行地址會更早的進入非激活狀態。如果tRAS的周期太短，則可能因缺乏足夠的時間而無法完成數據的突發傳輸，這樣會引發丟失數據或損壞數據。該值***般設定為CAS latency + tRCD + 2個時鐘周期。
對于大多數人來說，內存這個小硬件選好容量和頻率，然后插上主板用上就行了，對它的很多小參數完全不在意。所以，行業廠商也會提供比較傻瓜式的讀取內存SPD芯片的參數信息，自動設置各項小參，簡單好用；更有簡單的超頻設置——XMP技術，讓普通用戶也能簡單地享受超頻增值的樂趣。當然，真正的玩***在超頻時為了達到*理想的效果，還是更傾向于手動設置各項小參。希望通過這篇文章，大***能對內存的各項參數有更深的理解，并在使用上有***定的幫助。[3]
滬公網安備31011502016460號
