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原子層沉積系統(tǒng)PICOSUN?- R系列

價  格:詢價

產(chǎn)  地:芬蘭更新時間:2020-10-29 14:01

品  牌:Picosun型  號:PICOSUN?- R系列

狀  態(tài):正常點擊量:1592

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科研領(lǐng)域:原子層沉積系統(tǒng)PICOSUN?- R系列高水平的研究和開發(fā)需要***好的設(shè)備。Picosun ALD是全球ALD設(shè)備的***。PICOSUN? R系列設(shè)備提供高質(zhì)量ALD薄膜的沉積技術(shù),并在各種各樣的襯底上都表現(xiàn)極佳的均勻性,包括***具挑戰(zhàn)性的通孔的、超高深寬比和顆粒等樣品。我們?yōu)橐后w、氣體和固體化學(xué)物提供的更高***的,易更換的前驅(qū)源系統(tǒng),能夠在晶圓、3D樣品和各種納米特性的樣品上生長顆粒度***小的薄膜層。在***基本的PICOSUN? R系列配置中可以選擇多個獨立的,完全分離的源入口匹配多種類型的前驅(qū)源。PICOSUN? R系列獨特的擴展性使ALD工藝可以從研究環(huán)境直接過渡到生產(chǎn)環(huán)境的PICOSUN? P系列ALD系統(tǒng)。由于研發(fā)型與生產(chǎn)型PICOSUN?反應(yīng)腔室核心設(shè)計特點都是相同的,這消除了實驗室與制造車間之間的鴻溝。對大學(xué)來說,突破創(chuàng)新的技術(shù)轉(zhuǎn)化到生產(chǎn)中,就會吸引到企業(yè)投資。



產(chǎn)品參數(shù)

PICOSUN?ALD  R-200 Advanced高級型 技術(shù)參數(shù):(其他R系列技術(shù)參數(shù)請參考HONOPROF網(wǎng)站)

襯底尺寸和類型50-200 mm /單片
156 mm x 156 mm太陽能硅片
3D復(fù)雜表面襯底
粉末與顆粒
Roll-to-roll , 襯底最大寬 70 mm
多孔,通孔,高深寬比(HAR)樣品
工藝溫度50 - 500 °C , 可選更高溫度
基片傳送選件氣動升降(手動裝載)
預(yù)真空室安裝磁力操作機械手(Load lock )
半自動裝載,用PICOPLATFORM?200集群系統(tǒng)實現(xiàn)
25片晶圓盒對盒式全自動裝載(cassette-to-cassette),用PICOPLATFORM?200集群系統(tǒng)實現(xiàn)
前驅(qū)體液態(tài)、固態(tài)、氣態(tài)、臭氧源、等離子體(最多4路氣體)
6根獨立源管線,最多加載12個前驅(qū)體源(加上Plasma管路,共7根獨立源管線)
重量350 + 200 kg
尺寸(W*H*D)取決于選件
最小 146 cm x 146 cm x 84 cm
最大 189 cm x 206 cm x 111 cm
選件集群工具,PICOFLOW? 擴散增強器,集成橢偏儀,QCM,RGA,超高真空兼容,N2發(fā)生器,尾氣處理器,定制設(shè)計,手套箱集成(用于惰性氣體下裝載)
驗收標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備驗收標(biāo)準(zhǔn)為 Al2O3工藝



產(chǎn)品介紹

科研領(lǐng)域:原子層沉積系統(tǒng)PICOSUN?- R系列高水平的研究和開發(fā)需要***好的設(shè)備。Picosun ALD是全球ALD設(shè)備的***。PICOSUN? R系列設(shè)備提供高質(zhì)量ALD薄膜的沉積技術(shù),并在各種各樣的襯底上都表現(xiàn)極佳的均勻性,包括***具挑戰(zhàn)性的通孔的、超高深寬比和顆粒等樣品。我們?yōu)橐后w、氣體和固體化學(xué)物提供的更高***的,易更換的前驅(qū)源系統(tǒng),能夠在晶圓、3D樣品和各種納米特性的樣品上生長顆粒度***小的薄膜層。在***基本的PICOSUN? R系列配置中可以選擇多個獨立的,完全分離的源入口匹配多種類型的前驅(qū)源。PICOSUN? R系列獨特的擴展性使ALD工藝可以從研究環(huán)境直接過渡到生產(chǎn)環(huán)境的PICOSUN? P系列ALD系統(tǒng)。由于研發(fā)型與生產(chǎn)型PICOSUN?反應(yīng)腔室核心設(shè)計特點都是相同的,這消除了實驗室與制造車間之間的鴻溝。對大學(xué)來說,突破創(chuàng)新的技術(shù)轉(zhuǎn)化到生產(chǎn)中,就會吸引到企業(yè)投資。





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