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磷化鎵晶體GaP晶體太赫茲晶體

價  格:詢價

產  地:俄羅斯更新時間:2020-10-30 14:02

品  牌:屹持光電技術型  號:GaP

狀  態(tài):正常點擊量:1026

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磷化鎵晶體GaP晶體太赫茲晶體

產品簡介        

磷化鎵是***種人工合成的化合物半導體材料。外觀:橙紅色透明晶體。磷化鎵是***種由n從族元素鎵(Ga)與vA族元素磷(P)人工合成的m- V族化合物半導體材料。磷化鎵的晶體結構為閃鋅礦型,晶格常數(shù)5.447±0.06埃,化學鍵是以共價鍵為主的混合鍵,其離子鍵成分約為20%,300K時能隙為2.26eV,屬間接躍遷型半導體。磷化鎵與其他大帶隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體(如GaAS、 InP)相同,可通過引入深中心使費米能***接近帶隙中部,如摻入鉻、鐵、氧等雜質元素可成為半絕緣材料。目前尚未得到非摻雜半絕緣材料。

(110)晶向的GaP晶體常常被用在太赫茲時域光譜儀中作為探測晶體,其橫光學支聲子線在11THz。通常可探測的頻譜寬度在0.1-6.5THz。



產品參數(shù)

GaP磷化鎵晶體產品


GaP 磷化鎵晶體基本規(guī)格(a) Description

   1  

GaP (110), 10x10x4 mm, 2 sides polished.

    2 

GaP (110), 10x10x2 mm, 2 sides polished..

    3

GaP (110), 10x10x0.5 mm, 2 sides polished..

    4

GaP (110), 10x10x0.4 mm, 2 sides polished..

    5

GaP (110), 10x10x0.2 mm, 2 sides polished..

    6

GaP (110), 10x10x0.1 mm, 2 sides polished..

(a)其他規(guī)格要求可以定制



產品介紹

中文名:磷化鎵

外文名:Gallium phosphide

分子式:GaP

分子量:100.6968





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